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삼성전자, 최첨단 반도체 라인에 6兆 투자

  • 2018.02.23(금) 11:00

경기 화성에 'EUV 라인' 착공…2020년 가동
미세공정 리더십 강화…추가 투자도 추진

삼성전자가 6조원을 들여 경기도 화성에 최첨단 반도체 라인을 짓는다.

 

▲ 삼성전자는 23일 경기도 화성캠퍼스에서 '삼성전자 화성 EUV 라인' 기공식을 열었다. 이번 신규라인에는 미세공정 수준을 끌어올릴 수 있는 극자외선 장비가 본격 도입된다. 본격적인 가동은 2020년으로 예정돼있다. 사진은 삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 조감도.


삼성전자는 23일 경기도 화성캠퍼스에서 '삼성전자 화성 EUV(Extreme Ultra Violet·극자외선) 라인 기공식'을 열고 본격적인 공사에 돌입했다.

이번에 착공하는 화성 EUV라인은 2019년 하반기에 완공, 시험생산을 거쳐 2020년부터 본격 가동을 시작할 예정이다. 초기 투자규모는 건설비용을 포함해 2020년까지 60억달러(약 6조원) 수준이다. 삼성전자는 라인 가동 후 반도체 시황에 따라 추가 투자를 추진할 계획이다.

특히 이번 신규라인에는 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV 장비가 본격 도입된다.

 

반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현해 성능과 전력효율을 향상시켜왔다. 그러나 최근 한자릿수 나노(1나노는 100만분의 1㎜) 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 더욱 세밀한 회로를 구현하기 위해서는 기존 노광장비보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입이 불가피해졌다.

삼성전자는 EUV 장비가 향후 반도체 미세공정에서 기술 리더십을 유지하는데 핵심 역할을 할 것으로 기대하고 있다. 삼성전자는 화성 EUV 라인을 통해 모바일·서버·네트워크 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하고, 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도한다는 방침이다.

앞서 삼성전자는 미국의 퀄컴과 협력해 5세대 이동통신용 칩분야에서 EUV를 활용한 7나노 공정 기술을 적용키로 한 바 있다. 7나노 공정은 기존 10나노 공정에 비해 칩면적을 40% 줄이면서 성능은 10% 높일 수 있다. 전력효율도 35% 향상된다. 이 반도체를 탑재하면 지금보다 용량이 큰 배터리를 탑재하거나 더 얇고 가벼운 스마트폰을 만들 수 있다.

이날 기공식에는 권칠승 국회의원, 황성태 화성시 부시장, 삼성전자 DS부문장 김기남 사장, 파운드리 사업부장 정은승 사장, 지역주민 등 약 300명이 참석했다.

김기남 사장은 "이번 화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥·화성·평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것"이라고 말했다.

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