SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램 시장의 주도권을 굳히기 위해 최신 메모리 반도체 공급에 속도를 낸다. 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 시제품을 글로벌 고객사에 전달하며 기술 경쟁력 증명에 나섰다. 특히 앞서 지난달 말 샘플을 공급한 삼성전자에 이어 가세하며 양대 메모리 업체 간 주도권 경쟁도 격화하는 모습이다.
초고속 데이터 처리로 AI 학습·추론 최적화
18일 SK하이닉스에 따르면 회사는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다. HBM(고대역폭메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 혁신적으로 높인 고성능 메모리를 뜻한다. 이번에 선보인 HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율성을 균형 있게 강화한 것이 특징이다.
신제품은 데이터를 전송하는 통로인 핀(Pin)당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 데이터 처리 속도를 낸다. 이와 함께 에너지 효율을 기존보다 20% 이상 개선해 대규모 인공지능 데이터센터 구축 시 발생하는 전력 부담을 낮췄다. 최신 인터페이스 표준과 설계 최적화 과정을 거쳐 고대역폭 환경에서도 데이터 전송 지연을 줄이고 안정적인 구동이 가능하도록 설계했다.
제품의 고단 적층에 따른 내구성과 용량을 확보하기 위해 패키징 기술도 고도화했다. SK하이닉스는 이번 제품에 '어드밴스드 MR-MUF' 공정을 도입했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 빈 공간에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 패키징 기술이다.
이 공정을 통해 12단 적층 기준 총 48GB(기가바이트)의 대용량을 구현하는 동시에 구조적 안정성을 확보했다. 특히 반도체 구동 시 발생하는 열을 흡수하고 방출하는 능력인 열 저항을 기존 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서의 발열 문제를 완화했다.
회사는 HBM3부터 HBM3E, HBM4로 이어지는 양산 및 공급 경험을 토대로 축적된 품질 경쟁력을 앞세워 시장 요구에 적기 대응할 방침이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드할 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과의 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.
