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SK하이닉스, 'AI 리더십' 공고화 할 전략은

  • 2024.04.25(목) 13:36

내년 수요 증가 맞춰 HBM3E 12단 공급
AI 흐름 탄 낸드, eSSD로 수요 대응

SK하이닉스가 개발한 HBM3E./사진=SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 올해 AI(인공지능) 시대에 발맞춰 AI 메모리 시장의 리더십을 공고히 할 생각이다. HBM(고대역폭메모리) 리더십을 지속하기 위해 차세대 제품인 12단 HBM3E도 내년부터 본격 공급한다. 다운턴(하강국면) 동안 움츠렸던 시설투자도 적극 늘리겠다는 구상이다.

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내년 HBM3E 공급 시작

SK하이닉스는 HBM3E 공급을 늘리고 고객층을 확대해 AI 메모리 수요 확대에 대응하겠다는 구상이다. 또 HBM 시장의 경쟁 우위를 지속하기 위해 내년부터 HBM3E 12단 제품을 본격적으로 공급할 계획이다.

25일 1분기 실적 발표 후 진행한 컨퍼런스 콜(전화회의)에서 김규현 SK하이닉스 D램 마케팅 담당은 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 8단"이라며 "12단 제품은 고객 요청 일정에 맞춰 올해 3분기 개발을 완료하고 고객 인증을 거친 뒤 내년 수요가 본격적으로 늘어나는 시점에 안정적으로 공급할 것"이라고 밝혔다.

현재 SK하이닉스는 높은 EUV(극자외선) 생산성과 1b나노 기술의 완성도를 기반으로 HBM3E 양산을 순조롭게 진행 중이다. 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내 HBM3와 비슷한 수율 달성이 가능하다는 것이 SK하이닉스 측 설명이다.

HBM3E 양산이 본격화될 경우 실적 개선에도 속도가 붙을 것으로 보인다. 김 담당은 "HBM3E 가격은 상대적으로 높은 성능과 원가 상승 등을 고려해 기존 HBM3 대비 가격 프리미엄이 반영돼 있다"며 "HBM3E는 이전 제품 대비 더욱 수익성 있는 제품이 될 것으로 기대한다"고 말했다.

살아나는 낸드 시장, eSSD로 대응

1분기 흑자 전환에 성공한 낸드 사업의 경우 실적 개선 추세를 이어가기 위해 제품 최적화를 추진할 계획이다. SK하이닉스는 자사의 고성능 16채널 eSSD(기업용데이터저장장치)와 함께 자회사인 솔리다임의 쿼드레벨셀(QLC) 기술 기반 고용량 eSSD 판매를 적극적으로 늘린다.

김석 SK하이닉스 낸드 마케팅 담당은 "솔리다임이 업계에서 유일하게 보유한 QLC 기반 60TB 이상 고용량 eSSD 솔루션을 통해 수요 증가에 대응할 계획"이라며 "HBM 및 고용량 D램 제품에서 기술과 제품경쟁력을 입증한 것과 같이 초고용량 eSSD에서도 고객과의 적극적인 협력을 통해 메모리 선두 업체로서의 위상을 강화하겠다"고 덧붙였다.

최근 낸드 시장에서는 QLC 기술 기반 eSSD 수요가 늘고 있다. 시장조사기관 트렌드포스는 QLC 낸드의 올해 매출액이 전년 대비 4배 이상 증가할 것으로 전망한 바 있다.

일반적으로 낸드플래시는 하나의 셀에 1~3비트의 데이터를 기록할 수 있는데 QLC는 동일한 셀에 4비트 정보를 담을 수 있다. 덕분에 고용량을 구현하기 용이하고, 생산원가 효율성도 높다. 

김석 SK하이닉스 낸드 마케팅 담당은 "최근 AI 시장의 성장과 기업의 AI 활용 증가에 따라 낸드의 장점인 고성능·저전력 솔루션에 대한 요구가 현실화되고 있다"면서 "이는 AI 시장 확대로 발생하는 신규 수요라는 점에서 낸드 공급업체 입장에서는 상당히 긍정적"이라고 설명했다.

다만 낸드의 가동률 상승은 점진적으로 진행할 것으로 보인다. 빠르게 가동률을 회복하고 있는 D램과는 다른 모양새다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "D램과 낸드는 가동률에 대한 접근도 다르게 대응해야 한다"며 "낸드는 아직 일반 응용처의 수요 개선이 의미 있게 나타나지 않고 있고, HBM과 같은 공급상의 제약이 없는 점을 고려해 D램에 비해 신중하게 가동률 회복에 대해 결정할 것"이라고 말했다.

업황 살아나니 투자도 적극적

SK하이닉스는 캐파 확대를 위해 그간 주춤했던 투자에도 적극 나설 계획이다. 대표적인 것이 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹(Fab)인 M15X다. SK하이닉스는 지난 24일 청주 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결정했다고 발표한 바 있다.

김 부사장은 "예상보다 급증하고 있는 AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서는 추가적인 클린룸 공간의 확보가 필요하다고 판단했다"며 "AI향 메모리 시장 리더로서의 위상을 지키고, D램 수요 증가에 선제적으로 대응하기 위해 M15X에 대한 투자를 결정했다"고 설명했다.

SK하이닉스는 이달 말 팹 건설 공사에 돌입해 오는 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행, 생산 기반을 확충할 생각이다.

SK하이닉스 신규 팹(Fab) M15X 건설 조감도/사진=SK하이닉스 제공

이어 그는 "M15X는 청주 공장의 기존 인프라를 활용할 수 있어, 상대적으로 빠른 일정으로 클린룸을 확보할 수 있을 것으로 보고 있다"면서 "M15X는 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM의 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 있다"고 설명했다.

SK하이닉스는 M15X 건설 가속화뿐 아니라 중장기적으로 약 120조원이 투입되는 용인 반도체 클러스터, 5조2000억원이 투입되는 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등 미래 투자도 차질 없이 진행할 계획이다. 

김 부사장은 "용인은 부지 조성 작업이 진행 중이고 2027년 첫 팹 오픈을 목표로 차질없이 진행되고 있다"며 "인디애나 어드밴스드 패키징 시설은 2028년 하반기 생산 가동을 목표로 하고 있다"고 말했다.

이에 따라 올해 투자 규모는 연초 계획 대비 다소 증가할 것으로 보인다. 다만 이는 투자효율성과 재무건전성을 해치지 않는 선에서 진행한다는 게 SK하이닉스의 입장이다.

김 부사장은 "경쟁력이 있는 제품 위주로 시장 리더십 유지와 신규 기회 포착에 필요한 필수 투자에 우선순위를 두고 투자 결정을 할 것"이라면서 "현금창출 수준을 고려해 미래 성장을 위한 투자와 재무건전성 확보를 균형 있게 추진하고자 한다"고 강조했다.

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