SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정을 시대를 열었다. 이 회사는 이달 초부터 10나노급 4세대(1a) 최신 미세화 공정기술을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4) 모바일 D램의 양산을 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.
업계에서는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙인다. 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이은 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 SK하이닉스의 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급될 예정이다.
특히 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다. EUV는 짧은 파장으로 미세한 회로를 그리는 데 적합하고, 공정 횟수를 줄여 시간과 비용을 축소해 반도체 공정의 단점을 극복할 수 있는 기술로 꼽힌다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했다.
최근 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇달아 도입하고 있다. 공정이 극도로 미세화되면서 향후 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정할 것이라는 게 업계 전망이다. 지금까지 실질적으로 D램 양산에 EUV 공정을 써온 건 삼성전자뿐이었다.
SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이고, 탄소 배출도 줄일 수 있을 것으로 기대했다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 많다. 또 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비율도 약 20% 줄였다.
SK하이닉스 측은 "올해 세계적으로 D램 수요가 늘어나, 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대한다"며 "저전력 강점을 보강해 탄소 배출을 줄여 ESG(환경·사회·지배구조) 경영 관점에서도 의미가 있다"고 전했다.
SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 구상이다. 지난해 10월 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.
조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 말했다.
