삼성전자가 세계 최초로 차세대 기술을 적용한 3나노(1nm는 10억분의 1m) 제품 출하식을 열었다. 정부는 치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 전폭적인 노력을 아끼지 않는다는 계획이다.
삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스에서 차세대 기술인 '게이트올어라운드(GAA)'를 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관과 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(사장) 및 임직원과 협력사, 팹리스 관계자 등 100명이 참석했다.
이 장관은 "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"고 당부하며 "정부도 지난주 발표한 반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 말했다.
삼성전자는 지난달말 GAA 기반 3나노미터 반도체 공정 양산(대량생산)을 세계 최초로 시작했다. 이로써 삼성전자는 차세대 파운드리(반도체 위탁생산) 산업 1위인 대만의 TSMC를 추격할 수 있는 발판을 마련하게 됐다.
이날 경 대표는 "삼성전자는 이번 제품 양산출하로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"라며 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작해 2017년부터 3나노 공정에 적용했다. 지난달말 양산을 시작한 3나노 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고 주요 고객들과 모바일 시스템온칩(SoC) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
반도체 장비 업체인 원익IPS의 이현덕 대표이사는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다"며 "앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다"고 말했다.
팹리스 업체 텔레칩스 이장규 대표이사는 "텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"며 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.
삼성전자는 화성캠퍼스를 시작으로 향후 평택캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품을 양산할 예정이다.
