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삼성전자 반도체 '또 한계 극복'

  • 2019.03.21(목) 16:46

3세대 10나노급 DDR4 D램 개발
하반기 본격 양산…생산성 20% 향상

삼성전자가 세계 최초로 반도체 회로선폭이 10나노 초반(1z)에 불과한 D램(사진)을 개발했다.

삼성전자는 21일 "3세대 10나노급 D램 기반의 PC용 DDR(Double Data Rate·2배율)4 모듈이 글로벌 중앙처리장치 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다"며 "10나노 중반(1y)의 2세대 D램을 양산한지 16개월만에 미세공정의 한계를 극복했다"고 밝혔다.

이번에 개발한 3세대 제품은 초고가의 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 2세대 제품에 비해 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 회로를 더 얇게 그려 웨이퍼 한 장에서 뽑아낼 수 있는 칩이 20% 늘어난다는 얘기다.

또한 데이터 처리속도가 빨라져 소비자가 사용하는 컴퓨터의 전력효율 역시 개선할 수 있다고 회사측은 설명했다.

DDR은 D램의 동작속도를 나타내는 반도체 규격이다. 뒤에 붙는 1, 2, 3, 4, 5 등 숫자가 클수록 처리속도가 2배씩 빨라진다. 주로 서버, PC 등에 사용되며 스마트폰에는 소비전력이 낮은 'LPDDR(Low Power DDR)'이 탑재된다.

삼성전자는 올해 하반기에 3세대 10나노급 D램을 본격 양산하고, 내년에는 DDR5, LPDDR5 등 성능과 용량을 높인 차세대 D램을 본격적으로 공급할 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여하겠다"고 말했다.

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