SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 고대역폭메모리(HBM) D램 제품을 출시한 이래 메모리 기술혁신에 박차를 가하고 있다.
SK하이닉스는 12일 업계 최고속 HBM2E D램 개발에 성공했다고 밝혔다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 HBM에서 성능을 더욱 높인 제품이다. HBM 차세대 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.
비결은 데이터가 드나드는 출입구를 실리콘 관통전극(TSV) 기술로 늘린데 있다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460기가바이트(GB) 데이터를 처리할 수 있다. 기존 D램은 I/O를 늘리는데 한계가 있는 와이어본딩 기술이 적용됐다. 2차선 도로를 4차선 도로로 늘려 차량 통행량을 늘린 셈이다.
이 제품은 용량이 3.7GB인 풀HD(FHD)급 영화 124편 분량 정보를 1초에 처리하는 성능을 지녔다. 16기가비트(Gb)칩 8개를 수직 연결해 16GB 용량도 구현했다.
SK하이닉스는 데이터를 병렬 처리해 초고속 성능이 필요한 고성능 그래픽처리장치(GPU)를 비롯해 머신러닝, 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차산업 기반 시스템이 커짐에 따라 HBM2E 수요도 늘 것으로 보고 있다.
전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다"고 밝혔다.
