삼성전자 메모리반도체의 중국 생산 시대가 시작된다. 한국과 미국에 이어 중국 반도체 라인의 완공으로 삼성전자는 글로벌 3각 생산체제를 갖추게 됐다. 이전보다 균형잡힌 생산체제를 갖춘 만큼 효율도 높아질 것이라는 전망이다.
삼성전자는 9일 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 자오쩡융(赵正永) 산시성 성위서기, 러우친젠(娄勤俭) 산시성 성장, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 쉬셴핑(徐宪平) 국가발개위 부주임, 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사, 권오현 부회장 등이 참석한 가운데 준공식을 갖고 본격적인 제품생산에 돌입했다고 밝혔다.
이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월간의 공사기간을 통해 완성됐다. 단지는 총 34만5000평 부지에 연면적 7만평 규모로 건설됐다. 이 공장에서는 한국에서 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 생산한다.
| ▲ 삼성전자 시안 반도체 신규라인에서 근무자가 근무하는 모습. |
삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 '글로벌 반도체 생산 3거점 체제'가 구축됐다고 강조했다. 시스템반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국 등 최적의 포트폴리오가 완성됐다는 설명이다.
이번 시안 공장의 완공으로, 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축했다. 생산규모도 확대하고 고객에게 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 됐다. 특히 글로벌 IT 기업들의 생산거점이면서 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국내에서 제품을 직접 생산해 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐다는 설명이다.
삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장동력을 마련했다. V-NAND는 국내 업체들이 충분한 경쟁력을 갖춘 증착공정의 비중이 높다. 이미 현지에 진출한 국내 협력사들은 60여개로 향후 100개까지 확대될 전망이다.
| ▲ 삼성전자 시안 반도체 신규라인에서 생산된 낸드플래시. |
러우친젠(娄勤俭) 산시성 성장은 축사를 통해 "삼성 프로젝트가 성공적으로 마무리됐다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 밝혔다.
권오현 삼성전자 부회장은 기념사를 통해 "과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 '21세기 디지털 실크로드'의 출발점이 되기를 희망한다"고 말했다.
한편 삼성전자는 올해 말 반도체 테스트와 패키징 등 후공정 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성할 계획이다.
