삼성전자가 중국 시안에 낸드플래시 메모리 생산라인을 추가로 건설한다.
| ▲ 삼성전자 중국 시안 반도체 공장 1라인에서 일하는 근무자의 모습. |
삼성전자는 28일 오전 중국 산시성 시안시에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 열었다.
이날 행사에는 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 김기남 삼성전자 대표이사 사장 등이 참석했다.
삼성전자는 2014년 준공한 시안 반도체 공장 1라인에 이어 앞으로 3년간 총 70억달러를 투자해 2라인을 짓는다.
현재 100% 가동률을 보이는 1라인에 추가 라인을 건설해 낸드플래시의 최대 수요처인 중국 시장에 대응하겠다는 전략이다.
이 공장에서는 3차원 수직구조의 낸드플래시(3D V낸드)를 생산한다. 반도체 저장공간인 셀을 수직으로 쌓아 저장용량을 늘리고 셀 사이 간섭현상을 줄인 제품이다.
김기남 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 기여하겠다"고 말했다.
류궈중 산시성 성장은 "삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 밝혔다.
