삼성전자가 반도체 미세공정의 한계를 극복하고 10나노급 2세대 D램 시대를 열었다.
삼성전자는 지난 달부터 세계 최소의 칩 크기인 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다고 20일 밝혔다.
D램은 수십억개의 데이터 저장공간으로 구성된 반도체로 내부구조가 복잡해 미세공정을 진척시키는데 어려움을 겪어왔다.
삼성전자는 지난해 2월 1세대 제품인 10나노급 8Gb D램을 양산한데 이어 이번에는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 생산성을 약 30% 높인 2세대 제품을 선보였다.
10나노급 2세대 D램은 1세대에 비해 속도는 10% 이상 빨라졌고 소비전력량은 15% 이상 줄인 게 특징이다.
제품을 설계할 때 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인할 수 있는 기술(초고감도 셀 데이터 센싱 시스템)을 적용했고, 제조 공정에서도 전류가 흐르는 주변의 미세 영역을 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 기술(2세대 에어갭 공정)을 채택했다.
삼성전자는 이번 제품 양산을 계기로 전면적인 10나노급 D램양산 체제로 돌입할 방침이다. 이를 통해 서버·모바일·그래픽 등 프리미엄 메모리 시장에서의 주도권을 확고히 한다는 계획이다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며 "향후 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 말했다.
| ▲ 삼성전자는 지난달부터 10나노급 2세대 D램(사진)을 본격 양산하기 시작했다. |
