삼성전자가 글로벌 인공지능(AI) 반도체 경쟁의 중심 무대인 엔비디아 'GTC 2026'에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술을 공개하며 AI 메모리 리더십 강화에 나선다.
삼성전자는 16일부터 19일까지(현지시각) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'을 지원하는 메모리 토털 솔루션을 공개한다고 밝혔다.
이번 전시에서 삼성전자는 HBM4를 중심으로 메모리·로직 설계·파운드리·첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 경쟁력을 강조했다. 'Nvidia Gallery' 전시 공간도 별도로 마련해 엔비디아와의 전략적 협력 관계를 부각했다.
행사 둘째 날인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청으로 발표에 나선다. 송 센터장은 엔비디아 차세대 시스템의 의미와 이를 지원하는 삼성 메모리 토털 솔루션 비전을 설명할 예정이다. 양사의 협력이 단순 기술 협력을 넘어 글로벌 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 강조한다는 계획이다.
차세대 'HBM4E' 승부수
삼성전자는 이번 전시에서 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다.
HBM4E는 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 설계 기술을 결합해 개발 중인 차세대 HBM이다. 메모리와 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 통합해 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
삼성전자는 영상 전시를 통해 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 소개했다. 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 방식보다 열 저항을 20% 이상 낮춘 기술이다. 16단 이상 고적층 HBM 구현에도 유리하다.
또 엔비디아 베라 루빈 플랫폼에 적용될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼도 함께 전시했다. 삼성 HBM 기술 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시 동선을 구성했다.
삼성전자는 종합반도체기업(IDM) 구조를 활용해 메모리·로직·패키징 기술을 통합하는 토털 솔루션 전략을 강화한다는 계획이다. 이를 통해 차세대 HBM 시장에서도 성능과 품질 경쟁력을 동시에 확보하겠다는 구상이다.
"엔비디아 AI 플랫폼 메모리 '풀스택' 공급"
삼성전자는 이번 전시에서 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'에 필요한 모든 메모리와 스토리지를 공급할 수 있는 역량도 강조했다.
Nvidia Gallery에서는 △Rubin GPU용 HBM4 △Vera CPU용 SOCAMM2 △서버용 SSD PM1763 등을 실제 플랫폼과 함께 전시했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈이다. 삼성전자는 품질 검증을 마치고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.
PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763도 소개됐다. 베라 루빈 플랫폼의 핵심 스토리지다. 부스에서는 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연했다. GPU가 CPU 병목을 우회해 스토리지 I/O를 직접 제어하는 기술로 AI 데이터 처리 성능을 크게 높일 수 있다.
삼성전자는 AI 추론 성능을 높이기 위해 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에도 PCIe Gen5 기반 SSD PM1753을 공급할 계획이다.
삼성전자 관계자는 "AI 데이터센터 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 고성능 AI 시스템이 필수적"이라며 "삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 글로벌 AI 인프라 전환을 이끌 것"이라고 말했다.
