삼성전자는 이재용 부회장이 25일 오전 경기도 수원에 위치한 삼성종합기술원을 찾아 신기술 연구개발 현황을 보고 받고 차세대 미래기술 전략을 점검했다고 밝혔다.
이 부회장이 현장에서 참석한 간담회에서는 ▲차세대 인공지능(AI) 반도체 및 소프트웨어 알고리즘 ▲양자 컴퓨팅 기술 ▲미래 보안기술 ▲반도체·디스플레이·전지 등의 혁신 소재와 같은 선행 기술에 대한 논의가 이뤄졌다. 또 사회적 난제인 미세먼지 문제 해결을 위해 지난해 설립한 삼성종합기술원내 설치한 미세먼지 연구소의 추진 전략 등도 살폈다.
이 부회장은 "어렵고 힘들 때일수록 미래를 철저히 준비해야 한다"며 "국민 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신이다. 한계에 부딪쳤다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자"고 말했다.
이 자리에는 김기남 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 부회장, 황성우 삼성종합기술원장 사장, 강호규 삼성전자 반도체연구소장, 곽진오 삼성디스플레이 연구소장 등이 배석했다.
삼성종합기술원은 1987년 미래 준비를 위한 기초 연구와 핵심 원천기술 선행 개발을 목표로 개관한 삼성전자의 중앙연구소다. 삼성전자 연구개발(R&D) 체계의 최상위 조직으로 그 아래 3~5년 후의 유망 중장기 기술을 개발하는 각 부문 연구소, 1~2년 내에 시장에 선보일 상품화 기술을 개발하는 각 부문 산하 사업부 개발팀이 있다.
한편 이날 삼성전자는 업계 최초로 D램에 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다고 밝혔다. EUV 공정은 감광공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용해 회로를 여러번 찍는(멀티패터닝) 공정을 줄이고, 정확도를 높여 성능과 수율을 향상, 제품 개발 기간을 단축할 수 있다는 기술이다.
삼성전자는 EUV 공정 생산 1세대 10나노급(1x) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급해 고객 평가를 완료했다고 밝혔다. 삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있다. 이는 1x D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일 수 있는 기술이다.
삼성전자는 내년 4세대 1a D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5·6세대 D램도 선행 개발해 메모리 시장 기술 리더십을 이어가겠다는 전략이다.
