삼성전자는 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용한 256Gb(기가비트) 5세대 V낸드플래시 양산에 들어간다고 10일 밝혔다. 낸드플래시는 기기 전원이 꺼져도 데이터를 저장할 수 있어 스마트폰, 솔리드 스테이트 드라이버(SSD) 등에 필수 저장장치로 꼽힌다.
5세대 V낸드플래시는 원통형인 3차원 셀을 90단 이상까지 높였다. 초기 낸드플래시는 면이 평평한 2차원 구조를 지녔지만 삼성전자가 2013년 7월 3차원 셀을 개발하며 수직으로 세울 수 있게 됐다.
셀을 높이 쌓으면 쌓을수록 층수라 할 수 있는 단이 높아지고 낸드플래시가 저장할 수 있는 용량은 더 많아진다. 제품 성능도 동시에 향상된다.
삼성전자는 차세대 낸드 인터페이스 'Toggle DDR 4.0 규격'을 적용해 5세대 V낸드플래시의 성능을 더 끌어 올렸다. 이전 세대 제품에 비해 초당 데이터 전송 속도가 1.4배 빨라졌다.
| ▲ 5세대 V낸드 외관. /사진=삼성전자 |
삼성전자는 낸드플래시 단을 쌓으면서도 높이를 최소화할 수 있는 방안도 제품에 적용했다. 데이터 양에 비례해 셀 높이가 높아져야 셀 간 간섭현상을 막을 수 있는데, 삼성전자는 '텅스텐 원자층박막 공정 기술'을 통해 이를 해결했다. 5세대 V낸드플래시는 기존에 비해 높이 20% 가량을 줄이게 됐다.
셀 높이가 상대적으로 낮아지며 이전 세대 제품에 비해 생산성도 30% 이상 높아졌다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다"며 "향후 1Tb(테라비트)와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 5세대 V낸드플래시의 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 기업용 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 지속적으로 주도해 나갈 계획이다.
