최근 반도체 업계 내 성과급 갈등과 인력 유출 우려가 이어지며 삼성전자와 SK하이닉스의 이·퇴직률 논란이 커지고 있다. 일각선 삼성전자의 이·퇴직률이 SK하이닉스보다 10배 높다는 분석까지 나왔지만, 실제 비교 기준 자체가 달랐던 것으로 확인됐다. 동일 기준으로 비교하면 최근 5년간 삼성전자의 이·퇴직률은 오히려 SK하이닉스보다 낮았다.
29일 삼성전자 및 SK하이닉스 지속가능경영보고서 등에 따르면, 지난 2020년부터 2024년까지 최근 5년간 평균 이·퇴직률은 삼성전자 2.1%, SK하이닉스 2.3%로 집계됐다. 삼성전자가 0.2%포인트(p) 낮은 수준이다.
반도체 사업만 놓고 보면 격차는 더 벌어진다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문의 이·퇴직률은 1%대다. 메모리와 파운드리 등 핵심 인력 기준 삼성전자의 인재 유지력이 SK하이닉스보다 더 높다는 의미다. 이에 업계에서는 삼성전자가 여전히 국내 최고 수준의 고용 안정성과 '인재 록인(lock-in)' 효과를 유지하고 있다는 평가가 나온다.
앞서 논란은 국내 한 조사기관의 발표에서 시작됐다. 당시 조사에서는 삼성전자 이·퇴직률이 10.1%, SK하이닉스는 1.3%로 집계되며 삼성전자가 10배 가까이 높다는 분석이 제기됐다.
하지만 양사의 집계 기준이 달랐다. 삼성전자는 국내외 전체 임직원을 포함한 반면, SK하이닉스는 국내 임직원만 기준으로 삼았다. 서로 다른 기준을 단순 비교하면서 격차가 실제보다 크게 부각됐다는 지적이다.
특히 삼성전자는 베트남과 인도 등 해외 생산거점 비중이 큰 기업이다. 글로벌 생산라인에서는 생산직 인력의 입·퇴사가 국내 연구개발(R&D) 인력보다 상대적으로 잦다. 이 때문에 해외 생산직까지 포함하면 전체 이·퇴직률이 높게 나타날 수밖에 없다는 설명이다.
업계 관계자는 "해외 생산직 직원들의 잦은 이퇴직 성향에 따라 글로벌 임직원 이퇴직률이 높게 나타난 것"이라며 "이는 글로벌 기업 전반에 나타나는 산업적 특성으로 기업의 고용 안정성이나 근무 환경과는 무관하다"고 말했다.
한편, 삼성전자는 차세대 AI 메모리 시장 공략에도 속도를 내고 있다. 이날 삼성전자는 업계 최초 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다.
올해 2월 HBM4를 세계 최초로 양산 출하한 데 이어 불과 3개월 만에 차세대 제품 샘플 공급까지 시작한 것이다. 삼성전자가 차세대 AI 메모리 주도권 확보를 위해 개발과 고객 검증 속도를 한층 끌어올리고 있다는 평가가 나온다.
HBM4E는 삼성전자의 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 적용한 제품이다. 핀당 속도는 최대 16Gbps로 HBM4 대비 20% 이상 향상, 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공한다. 용량도 최대 48GB로 전작보다 30% 이상 늘었다.
특히 HBM4 세대부터는 고객 맞춤형 설계와 안정적인 대량 생산 능력이 핵심 경쟁력으로 꼽힌다. 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 모두 갖춘 삼성전자의 강점이 부각되는 이유다. 삼성전자가 지난 3월 엔비디아 GTC 2026에서 공개한 로드맵보다 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 점도 주목된다.
업계에서는 SK하이닉스도 조만간 HBM4E 샘플을 출하할 것으로 보고 있다. 이에 따라 차세대 AI 메모리 시장을 둘러싼 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.
