삼성전자가 비메모리분야의 기술선점에 강한 의욕을 나타내고 있다.
▲ 정은승 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)은 3일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체소자학회에서 "4차 산업혁명 시대에는 파운드리 기술 진화가 핵심역할을 할 것"이라고 밝혔다. 사진은 올해 5월 미국에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 사업전략과 첨단공정 로드맵 등을 발표하는 정은승 사장. |
삼성전자 파운드리 사업부를 맡고 있는 정은승 사장은 3일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체소자학회에서 '4차 산업혁명과 파운드리'를 주제로 기조연설을 했다.
이 자리에서 정 사장은 "4차 산업혁명 시대에 급증하는 데이터를 처리하기 위해서는 반도체 집적도를 높여 성능과 전력효율을 지속적으로 향상시켜야 한다"며 "이를 위해 극자외선(EUV) 노광기술, STT-MRAM(자성물질구조를 이용한 차세대 메모리) 등 첨단 파운드리 기술의 진화가 핵심역할을 할 것"이라고 말했다.
EUV는 불화아르곤(ArF) 광원을 사용하는 기존의 노광 공정과 달리 파장의 길이가 짧아 반도체 회로를 더욱 세밀하게 그릴 수 있는 장점이 있다. 현재 삼성전자는 총 6조원을 투자해 경기도 화성에 EUV 라인을 구축하고 있다.
정 사장은 또 "자율주행 자동차, 스마트 홈 등 새로운 아이디어들을 실제로 구현하려면 높은 수준의 반도체 기술이 필요하다"면서 "향후 파운드리 사업은 반도체를 위탁 제조하는 기존의 역할뿐 아니라 고객 요청에 따라 디자인 서비스부터 패키지, 테스트까지 협력을 확대하게 될 것"이라고 밝혔다.
정 사장은 반도체 분야의 기술 트렌드와 더불어 '게이트 올 어라운드(GAA)' 트랜지스터 구조를 적용한 3나노 공정 등 삼성전자의 최근 연구 성과도 함께 공개해 참석자들의 큰 관심을 받았다.
GAA는 현재 첨단 반도체 공정에 사용하는 '핀펫(FinFET)' 구조보다 한단계 진화한 것으로 전류의 흐름을 세밀하게 제어해 미세공정의 한계를 극복할 차세대 기술로 꼽힌다.
삼성전자는 올해 5월 미국에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 GAA를 활용한 3나노 공정까지의 로드맵을 공개한 데 이어 현재 3나노 공정의 성능 검증을 마치고 기술 완성도를 높여가는 중이다.
정 사장은 기조연설을 마무리하며 "최근 반도체업계의 다양한 기술 성과는 장비와 재료 분야의 협력 없이는 불가능했다"며 "앞으로도 업계, 연구소, 학계의 경계 없는 협력이 반드시 필요하다"고 강조했다.
국제반도체소자학회는 세계 3대 반도체 학회 중 하나로 전세계 반도체 전문가들이 참석한다. 삼성전자는 이번 학회에서 글로벌 고객, 파트너들과 협력해 첨단 공정 생태계를 강화하고 있다는 점을 부각했다.